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2200nm近红外激光器最高可实现功率>500mW稳定输出。可搭配光纤耦合系统实现光斑发散、准直以及聚焦输出。可满足各种红外器件及材料测试要求。

1940nm近红外光纤激光器最高功率>100W。目前广泛应用于塑料材料加工、中红外泵浦以及非线性效应研究领域。同时，水的吸收峰值与光纤铥激光1940nm波长相匹配，水和光纤铥激光具有天然的“CP感”，广泛应用于微创手术等医疗应用中。

1550nm近红外激光可分为半导体激光器和光纤激光器，目前可实现最高功率150W连续稳定输出。1550nm单频激光器可实现输出功率高达5W。目前广泛应用于光纤/自由空间通信、医疗、测量、器件测试与科学研究等领域。

1470nm近红外激光连续功率可达200W，处于国际领先。包括高稳定、可调谐和DFB三种机型，主要用在激光医疗、美容、材料检测及分析、光谱学和热成像等领域。

1342nm近红外激光连续功率可达6W，处于国际领先。包括高稳定、低噪声和单频三种机型，用在红外夜视、热成像、光声成像等领域。

1319nm红外激光连续功率可达200W。包括高稳定、低噪声、单频三种机型，具有超紧凑、寿命长、成本低、操作方便等特点，应用于科学实验、光学仪器、光学传感器、测量、通信、光谱分析等领域。

1310nm红外激光连续功率可达5W，包括半导体激光器和光纤激光器。具有超紧凑、寿命长、成本低、操作方便等特点，广泛应用于光电器件检测、光通讯、光传感等领域。

1240nm近红外激光连续功率可达15W。具有超紧凑、寿命长、成本低、操作方便等特点，广泛应用于中红外激光器泵浦、OPO泵浦源、长距离通信泵浦源、红外器件测试等领域。

我们提供DFB/DBR/VCSEL激光，这是专为气体检测而设计的，如CH4、H2S、NH3、H2O、CO、CO2、C2H4、HF、C2H2等。光谱线宽达2MHz、结构紧凑、功率高和波长稳定，广泛应用于光纤检测、种子光源、光纤传感等领域。

1064nm红外固体激光器连续功率可达500W，按照类型分为固体激光器和光纤激光器，主要包括单频、低噪声窄线宽和高稳定性三种机型，常用于光镊、上转换、PIV测速、NV色心、DNA测序、激光冷却、荧光显微镜、超分辨及数字成像等领域。目前单频1064nm激光器可实现线宽

980nm红外半导体激光器连续功率可达500W，包括单纵模、低噪声窄线宽和高稳定性三种机型，经常被用在上转换、活体成像、激光打印及焊接、激光防伪等领域，可配备指示光、TTL/模拟调制、RS232软件控制等功能。同时扩束器、红外显示卡、激光防护镜等可作为配件使用。

808nm红外半导体激光器连续功率可达500W，包括单纵模、低噪声窄线宽和高稳定性三种机型，经常被用在光热、光动力治疗、焊接照明等领域，可搭配光纤、光斑大小可调末准、光纤支架等配件使用。

785nm红外半导体激光器连续功率可达3W，包括单纵模、低噪声窄线宽和高稳定性三种机型，经常被用在拉曼及荧光检测、太赫兹单片集成、显微成像等领域。目前785nm单频激光器可实现光谱线宽小于100MHz。

近红外（SWIR）光一般定义为0.9－1.7μm波长范围内的光线，但也可归入0.7－2.5μm波长范围。由于硅传感器的上限约为1.0μm，SWIR成像需要能在SWIR范围内工作的独特组件。砷化铟镓（InGaAs）传感器是在SWIR中使用的主要传感器，可覆盖典型的SWIR频带，但可扩展低至550nm和高至2.5μm。虽然市场上可提供线性线扫描InGaAs传感器，但区域扫描InGaAs传感器一般受到ITAR限制，只能用于特定商业

衡工HGP220CN低照度相机采用自主研发的国产芯片，能够在星光条件下（1×10^(-3) Lux）连续清晰输出真彩色1080P全高清图像（60帧/秒），适用于各种大视角、远视距、低照度的应用需求，如手持观察、望远系统、车载、吊舱等项目。特别适用于夜间拍摄，夜空星空拍摄等。